9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFU120ZPBF,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFU120ZPBF价格参考3.512美元。Infineon Technologies IRFU120ZPBF封装/规格:MOSFET N-CH 100V 8.7A IPAK。您可以下载IRFU120ZPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的,你可以通过电子邮件或在线信息联系我们,如IRFU120ZPBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
IRFU120PBF是MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK,包括管封装,它们设计用于0.011640盎司单位重量的操作,安装方式如数据表注释所示,用于通孔,提供IPAK-3等封装外壳功能,技术设计用于Si,以及1通道数量的通道,该设备也可以用作单配置。此外,晶体管类型为1 N沟道,器件提供2.5 W Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为17 ns,上升时间为27 ns,Vgs栅源电压为20 V,Id连续漏电流为7.7 A,Vds漏极-源极击穿电压为100V,Rds漏极漏极-漏极电阻为270mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为18ns,典型接通延迟时间为6.8ns,沟道模式为增强。
IRFU120NPBF是MOSFET N-CH 100V 9.4A I-PAK,包括20 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作,单位重量显示在数据表注释中,用于0.13932盎司,提供晶体管类型功能,如1 N沟道,晶体管极性设计为在N沟道工作,以及Si技术,该器件也可以用作210毫欧Rds漏极-源极电阻。此外,Qg栅极电荷为16.7nC,该器件提供39 W Pd功耗,该器件具有一个封装管,封装盒为IPAK-3,通道数为1通道,安装方式为通孔,Id连续漏电流为9.1 a。
IRFU120Z是由IR制造的N通道100V 8.7A(Tc)35W(Tc)通孔IPAK(TO-251)。IRFU120Z可在TO-251封装中获得,是IC芯片的一部分,并支持N通道100V8.7A(Tc)35W)通孔IPK(TO-25 1)。