9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5433BDC-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5433BDC-T1-E3参考价格$5.386。Vishay Siliconix SI5433BDC-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8。您可以下载SI5433BDC-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI5432DC-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8，包括卷轴封装，它们设计用于SI5432DC-GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002998盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于ChipFET-8，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单十六进制漏极，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅源电压为12 V，并且Id连续漏极电流为6A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-漏极电阻为20mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为15ns，沟道模式为增强。
SI5432DC-T1-GE3-S，带有VISHAY制造的用户指南。SI5432DC-T1-GE3-S提供1206-8封装，是IC芯片的一部分。
SI5433BDC，带有VISHAY制造的电路图。SI5433BDC提供1206-8封装，是FET的一部分-单。
