9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSL372SNH6327XTSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSL372SNH6327XTSA1参考价格为0.17000美元。Infineon Technologies BSL372SNH6327XTSA1封装/规格：MOSFET N-CH 100V 2A TSOP-6。您可以下载BSL372SNH6327XTSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BSL316CH6327XTSA1，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101、OptiMOS？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了BSL316C H6327 SP001101010中使用的零件别名，该产品提供了SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SC-74、SOT-457以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的PG-TSOP6-6，配置为双通道，FET类型为N和P通道互补，最大功率为500mW，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为282pF@15V，FET的特点是逻辑电平门，4.5V驱动，电流连续漏极Id 25°C为1.4A，1.5A，Rds On最大Id Vgs为160mOhm@1.4A，10V，Vgs th最大Id为2V@3.7μA，栅极电荷Qg Vgs为0.6nC@5V，Pd功耗为500mW，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7.5 ns 1 ns，上升时间为6.5 ns 2.3 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为-1.5 A 1.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V 30 V，Vgs第h栅极-源阈值电压为-2 V 1.2 V，Rds漏极源极电阻为270 mOhms 280 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为14.3ns 5.8ns，典型接通延迟时间为5ns 3.4ns，Qg栅极电荷为-0.6nC 0.3nC，正向跨导最小值为2.7S 2.3S，信道模式为增强。
BSL316CL6327HTSA1是MOSFET N/P-CH 30V TSOP-6，包括2V@3.7μA Vgs th Max Id，它们设计为与PG-TSOP6-6供应商设备包一起工作，数据表注释中显示了用于OptiMOS？的系列？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如160 mOhm@1.4A，10V，Power Max设计为工作在500mW，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作SC-74，SOT-457封装盒，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有94pF@15V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg Vgs为0.6nC@5V，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C的电流连续漏极Id为1.4A和1.5A。
BSL316CL6327，带有INFINEON制造的电路图。BSL316CL6327采用TSOP-6封装，是IC芯片的一部分。
