9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SUP90N06-5M0P-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SUP90N06-5M0P-E3参考价格为0.628美元。Vishay Siliconix SUP90N06-5M0P-E3封装/规格：MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB。您可以下载SUP90N06-5M0P-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SUP90N06-05L-E3是MOSFET 60V 90A 300W 4.9mohm@10V，包括SUP90Nxx系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，提供安装方式功能，如通孔，封装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有300 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为280 ns，上升时间为130 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为90 a，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.9mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为22ns，沟道模式为增强型。
SUP90N04-3M3P-GE3是MOSFET N-CH 40V 90A TO-220AB，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该设备也可以用作SUP90Nxx系列。此外，Rds漏极-源极电阻为3.3 mOhms，该器件提供125 W Pd功耗，该器件具有封装管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为90A。
SUP90N06-5M0P是由VIS制造的MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB。SUP90N06-5M0P在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB。
