9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFHM8330TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFHM8330TRPBF参考价格为1.080598美元。Infineon Technologies IRFHM8330TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 30V 16A 8QFN。您可以下载IRFHM8330TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFHM831TRPBF是MOSFET N-CH 30V 14A PQFN，包括卷筒封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于PQFN-8，该PQFN-8提供Si等技术特性，信道数设计用于1信道，以及单四漏三源配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为2.5W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为4.7ns，上升时间为12ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为14A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅-源极阈值电压为1.8V，并且Rds导通漏极-源极电阻为10.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为6.2ns，典型接通延迟时间为6.9ns，Qg栅极电荷为7.3nC，正向跨导Min为82S。
IRFHM8326TRPBF是MOSFET N-CH 30V 25A PQFN，包括1.7 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的开启延迟时间特性，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为18 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为35ns，器件的漏极-源极电阻为5.2mOhms，Qg栅极电荷为29nC，Pd功耗为2.8W，封装为卷轴式，封装盒为PQFN-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为19 A，正向跨导最小值为70 S，下降时间为12 ns，配置为单四漏三源。
IRFHM8329TRPBF是由IOR制造的MOSFET N-CH 30V 16A PQFN。IRFHM8329TRPBF采用8功率TDFN封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 16A PQFN、N沟道30V 16A（Ta）、57A（Tc）2.6W（Ta），33W（Tc）表面安装PQFN（3x3）、Trans MOSFET N-CH30V 16A 8引脚PQFN EP T/R、MOSFET MOSFET、30V、25A、4 3nC Qg、PQFN 3.3x3.3。
