9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5445BDC-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5445BDC-T1-E3参考价格为7.73美元。Vishay Siliconix SI5445BDC-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8。您可以下载SI5445BDC-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI5443DC-T1-E3是MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8，包括卷轴封装，它们设计用于SI5443DC E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002998盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及ChipFET-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型P信道，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为30纳秒，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏极电流为3.6A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-电源电阻为65mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为15ns，沟道模式为增强。
SI5443DC-T1-GE3是MOSFET 20V 4.9A 2.5W 65mohm@4.5V，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002998盎司，提供晶体管类型功能，如1个P沟道，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及Si技术，该器件也可以用作65mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为1.3 W，该器件以SI5443DC-GE3零件别名提供，该器件具有一卷封装，封装盒为ChipFET-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为3.6 a，配置为单一。
SI5443DC-T1是科信公司生产的Trans-MOSFET P-CH Si 20V 3.6A 8引脚片式FET T/R。SI5443DC-T1采用CHIP8L封装，是FET的一部分-单个，支持Trans-MOSFET P-CH Si 20V 3.6A 8引脚芯片FET T/R。
