9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP6N52K3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP6N52K3参考价格为0.572美元。STMicroelectronics STP6N52K3封装/规格：MOSFET N-CH 525V 5A TO220。您可以下载STP6N52K3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如STP6N52K3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
STP6N120K3是MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220，包括SuperMESH3？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为150W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为1200V（1.2kV），输入电容Ciss Vds为1050pF@100V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为6A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为2.4 Ohm@2.5A，10V，Vgs最大Id为5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为34nC@10V，Pd功耗为150 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为32纳秒，上升时间为12纳秒，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为6 A，Vds漏极-源极击穿电压为1200 V，Rds漏极源极电阻为2.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为58纳秒，典型的开启延迟时间为30ns，Qg栅极电荷为34nC，信道模式为增强。
STP6N25带有ST制造的用户指南。STP6N20封装是IC芯片的一部分。
STP6N50，带有ST制造的电路图。STP6N5 0采用TO220封装，是IC芯片的一部分。
STP6N52K2带有ST制造的EDA/CAD模型。STP6N52K2采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
