9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFHM8228TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFHM8228TRPBF参考价格为0.28000美元。Infineon Technologies IRFHM8228TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 25V 19A 8PFN。您可以下载IRFHM8228TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFHM792TRPBF是MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PFN，包括HEXFETR系列，它们设计用于带卷（TR）封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-PowerVDFN，技术设计用于硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该设备采用8-PQFN（3.3x3.3），Power33供应商设备包，该设备具有双重配置，FET类型为2 N信道（双重），最大功率为2.3W，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为251pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.3A，最大Id Vgs的Rds为195 mOhm@2.9A，10V，Vgs最大Id为4V@10μA，栅极电荷Qg Vgs为6.3nC@10V，Pd功耗为2.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2.6 ns，上升时间为4.7 ns，并且Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为2.3A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs第栅极-源阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为195mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为5.2ns，典型导通延迟时间为3.4ns，Qg栅极电荷为4.2nC，正向跨导Min为3.5S。
IRFHM792TR2PBF是MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PFN，包括4V@10μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-PQFN（3.3x3.3）、Power33供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于HEXFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如195 mOhm@2.9A、10V，功率最大设计为2.3W，以及Digi-ReelR替代封装，该器件也可用作8功率VDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有251pF@25V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为6.3nC@10V，FET类型为2 N通道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为100V，25°C的电流连续漏电流Id为2.3A。
IRFHM7194TRPBF带有由IR制造的电路图，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET MOSFET、N沟道100V 9.3A（Ta）、34A（Tc）2.8W（Ta）和37W（Tc）表面贴装8-PQFN（3.3x3.3）、Power33、Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A/R、MOSFET、100V、34A、16.9 mOhm、11 nC Qg、PQFN 3.3x3.3”。
