9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW36NM60N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW36NM60N参考价格为5.958美元。STMicroelectronics STW36NM60N封装/规格：MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3。您可以下载STW36NM60N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STW35N60DM2，带引脚细节，包括1.340411盎司单位重量，设计用于通孔安装式，封装盒如数据表注释所示，用于to-247-3，提供Si等技术特性，信道数设计用于1信道，以及1 N信道配置，该设备还可用作210 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为10.7ns，上升时间为17ns，Vgs栅极-源极电压为+/-25 V，Id连续漏极电流为28 a，Vds漏极-源极击穿电压为600 V，Vgs栅-源极阈值电压为3 V，Rds导通漏极-源极电阻为110mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为68ns，典型接通延迟时间为21.2ns，Qg栅极电荷为54nC，沟道模式为增强。
STW35N65M5是MOSFET N-CH 650V 27A TO-247，包括+/-25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于650 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如60 ns，典型的关闭延迟时间设计为64 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N通道MDmesh系列，该器件具有12 ns的上升时间，漏极电阻Rds为85 mOhms，Pd功耗为160 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为27A，下降时间为16ns，配置为单一。
STW36N55M5是MOSFET N-Ch 550V 0.06 Ohm 33A MDmesh M5 FET，包括单一配置，它们设计用于20.8 a Id连续漏极电流，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供通道数功能，如1通道，封装外壳设计用于to-247-3，以及管封装，该器件也可以用作190W Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为72 nC，器件提供80 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有串联的MDmesh M5，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为1.340411 oz，Vds漏极源极击穿电压为550 V，Vgs栅极-源极电压为25 V，Vgsth栅极-源极阈值电压为5V。
