9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFHM8235TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFHM8235TRPBF参考价格为12.042美元。Infineon Technologies IRFHM8235TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 25V 16A 8QFN。您可以下载IRFHM8235TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFHM792TRPBF是MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PFN，包括HEXFETR系列，它们设计用于带卷（TR）封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-PowerVDFN，技术设计用于硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该设备采用8-PQFN（3.3x3.3），Power33供应商设备包，该设备具有双重配置，FET类型为2 N信道（双重），最大功率为2.3W，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为251pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.3A，最大Id Vgs的Rds为195 mOhm@2.9A，10V，Vgs最大Id为4V@10μA，栅极电荷Qg Vgs为6.3nC@10V，Pd功耗为2.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2.6 ns，上升时间为4.7 ns，并且Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为2.3A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs第栅极-源阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为195mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为5.2ns，典型导通延迟时间为3.4ns，Qg栅极电荷为4.2nC，正向跨导Min为3.5S。
IRFHM8228TRPBF带有用户指南，包括1.8 V Vgs第二栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于25 V，提供典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为13 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为SmallPowIR，该器件采用Si技术，该器件具有IRFHM8228系列，上升时间为22ns，漏极-源极电阻Rds为6.7mOhms，Qg栅极电荷为18nC，Pd功耗为2.8W，封装为卷轴，封装盒为PQFN-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为19 A，正向跨导最小值为63 S，下降时间为6.2 ns，配置为单四漏三源。
IRFHM792TR2PBF是MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PFN，包括2.3A电流连续漏极Id 25°C，设计用于100V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于6.3nC@10V，除了251pF@25V输入电容Ciss Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用8 PowerVDFN封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，最大功率为2.3W，最大Id Vgs的Rds为195 mOhm@2.9A，10V，系列为HEXFET，供应商设备包为8-PQFN（3.3x3.3），功率33，Vgs th最大Id为4V@10μA。
