9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFHM8337TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFHM8337TRPBF参考价格为0.16000美元。Infineon Technologies IRFHM8337TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN。您可以下载IRFHM8337TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IRFHM8337TRPBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRFHM8330TRPBF是MOSFET N-CH 30V 16A 8PFN，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装样式，商品名显示在数据表注释中，用于SmallPowIR，提供封装盒功能，如PQFN-8，技术设计用于Si，以及1信道数信道，该器件也可以用作单四漏三源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.7 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5.7 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为16 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为7.7mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10ns，典型导通延迟时间为9.2ns，Qg栅极电荷为20nC，正向跨导Min为61S。
IRFHM8334TRPBF是MOSFET N-CH 30V 13A 8PFN，包括1.8 V Vgs第二栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如8.3 ns，典型的关闭延迟时间设计为7 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为SmallPowIR，该器件采用Si技术，该器件的上升时间为14ns，漏极-源极电阻Rds为11.2mOhms，Qg栅极电荷为15nC，Pd功耗为2.7W，封装为卷轴式，封装盒为PQFN-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为13 A，正向跨导最小值为44 S，下降时间为4.6 ns，配置为单四漏三源。
IRFHM8329TRPBF是由IOR制造的MOSFET N-CH 30V 16A PQFN。IRFHM8329TRPBF采用8功率TDFN封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 16A PQFN、N沟道30V 16A（Ta）、57A（Tc）2.6W（Ta），33W（Tc）表面安装PQFN（3x3）、Trans MOSFET N-CH30V 16A 8引脚PQFN EP T/R、MOSFET MOSFET、30V、25A、4 3nC Qg、PQFN 3.3x3.3。
