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IPS031N03L G是MOSFET N-Ch 30V 90A IPAK-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPS031N01LGAKMA1 IPS031N02LGXK SP000788214，提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可以用作IPAK-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为94 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为6 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为90A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.4mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为34ns，典型接通延迟时间为9ns，正向跨导最小值为100S，沟道模式为增强。
IPS031N03L是INFINEON制造的MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3。IPS031N03L有TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3。
IPS031N03LG是INFINEON制造的MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3。IPS031N03LG提供TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3。
