应用控制MOSFET用于同步降压变换器负载开关
具有低电荷（典型值为5.2 nC）、对PCB的低热电阻（<6.2�C/W）薄型（<0.9 mm）工业标准引脚，与现有表面安装技术兼容，符合RoHS要求，无卤素MSL1，消费者认证
优点低开关损耗实现更好的散热，从而提高功率密度多供应商兼容性更容易制造环境友好可靠性更高
标准包装形式数量胶带和卷筒4000绝对最大额定值参数VGS ID@TC（底部）ID@TC�C IDM PD@TA 25�C PD@TC（底部）25�C TJ TSTG栅极到源极电压连续漏极电流，VGS@10V连续漏极电压，VGS@10V连续漏电电流，VGS@10V持续漏极电流（源极键合技术有限公司）脉冲漏极电流功耗线性降额因数工作结和存储温度范围最大值20 10
静态=25�C（除非另有规定）参数漏极至源极击穿电压BVDSS击穿电压温度。系数BVDSS/TJ RDS（on）静态漏极到源极导通电阻VGS（th）IDSS IGSS gfs Qg Qgs Qgd Qgodr Qoss RG td（on）tr td（off）tf Ciss Coss Crss栅极阈值电压栅极阈值电压系数漏极到漏极漏电流栅极到源极正向漏电栅极到源反向漏电正向跨导总栅极电荷总栅极电荷Pre-Vth栅极到源电荷栅极到漏极电荷栅极电荷过驱动输出电荷栅极电阻开启延迟时间上升时间关闭延迟时间下降时间输入电容输出电容反向转移电容参数单脉冲雪崩能量
单位条件V VGS=250�A毫伏/�C参考1mA m VGS=17A VGS 14A V VDS=VGS，=25�A毫伏/�C�A VDS=24V，VGS 0V nA VGS=20V VGS-20V S VDS 17A nC VGS=10V，VDS=17A VDS 15V nC VGS nC ns VDS=16V，VGS=0V VDD=15V，VGS 17A RG=1.8 VGS=0V VDS=1.0MHz最大21单位mJ
二极管特性参数连续源电流IS（体二极管）脉冲源电流ISM（体二极管
图5。典型电容与漏极至源极电压3 www.irf.com� 2013国际整流器
图6。2013年8月22日，典型栅电荷与栅源电压
