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STL15DN4F5是MOSFET 2N-CH 40V 60A POWERFLAT，包括STripFET？V系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如8-PowerVDFN，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备也可用作表面安装安装类型。此外，信道数为2信道，设备采用PowerFlat？（5x6）供应商设备包，该设备具有双重配置，FET类型为2 N通道（双重），最大功率为60W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis Vds为1550pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为60A，最大Id Vgs的Rds为9 mOhm@7.5A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为25nC@10V，Pd功耗为60W，其最大工作温度范围为+175 C，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为60A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds漏极源极电阻为9 mOhm，晶体管极性为N沟道。
STL150N3LLH6是MOSFET NCH 30V 150A POWERFLAT5X6，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们被设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于17 ns，提供典型的关断延迟时间功能，如75 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列是N沟道STripFET，该器件以18纳秒上升时间提供，该器件具有2.4 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为80 W，封装为卷轴，封装盒为PowerFlat-8，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为150 A，下降时间为46 ns，配置为单四漏三源，通道模式为增强。
STL150N3LLH5是MOSFET N-CH 30V 35A POWERFLAT6X5，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于47.8 ns，提供Id连续漏电流功能，例如150 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用PowerFlat-8封装盒，该器件具有一个封装卷轴，Pd功耗为80W，Rds漏极-源极电阻为1.75mOhm，上升时间为30.8ns，系列为N信道STripFET，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为65.8ns，典型接通延迟时间为17.2ns，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为22V。
STL-1-450-8-01，带EDA/CAD型号，包括UL94 V-2材料可燃性等级，设计用于TWIST-LOK系列，类型属性如数据表注释所示，用于支架，该支架提供聚酰胺（PA66）、尼龙6/6等材料特性，颜色设计用于天然，以及夹子、扭锁型，该装置也可以用作散装包装。此外，安装类型为箭头式，有翼，设备的高度为1.591“（40.41mm），设备的开口尺寸为0.402”~0.500“（10.21mm~12.70mm），面板孔尺寸为0.157”（4.00mm）。
