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BSC014N03MS G是MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M，包括OptiMOS 3M系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了零件别名，用于BSC014N03M SGATMA1 BSC014N03MSGXT SP000394681，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及TDSON-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单四漏三源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为2.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为16纳秒，并且Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.4mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为43ns，典型接通延迟时间为32ns，沟道模式为增强。
BSC014N03LSGATMA1，带有用户指南，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作，产品名称显示在数据表注释中，用于OptiMOS，提供Si等技术特性，零件别名设计用于BSC014N03SBSC014N03LSGXT G SP000394677，以及卷筒包装，该设备也可以用作TDSON-8封装盒。此外，信道数为1信道。
BSC014N03MS，带有INFINEON制造的电路图。BSC014N03MS采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
