9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPD335N06L3GATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPD335N06L3GATMA1参考价格为1.634美元。Infineon Technologies IPD335N06L3GATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3。您可以下载IPD335N06L3GATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPD034N06N3 G是MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3，包括OptiMOS？系列，它们被设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用。数据表注释中显示了IPD034N06N3GATMA1 IPD034NO6N3GXT SP000451070中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT以及OptiMOS商标，该设备也可以用作to-252-3、DPak（2引线+标签）、，SC-63包装箱。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为PG-TO252-3，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为167W，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为11000pF@30V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为100A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为3.4mOhm@100A，10V，Vgs最大Id为4V@93μA，栅极电荷Qg-Vgs为130nC@10V，Pd功耗为167W，其最大工作温度范围为+175 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为16纳秒，上升时间为161纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为100 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds导通-漏极电阻为3.4毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为63纳秒，典型的开启延迟时间为38ns，信道模式为增强。
IPD034N06N3G，带有INFINEO制造的用户指南。IPD034N06N3G在TO252封装中提供，是FET的一部分-单个。
IPD335N06L3，带有INFIENEON制造的电路图。IPD335N06L3在TO252封装中提供，是FET的一部分-单个。
IPD335N06L3G带有INF/EDA/CAD型号。IPD335NO6L3G采用TO-252-2封装，是FET的一部分-单个。
