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IPI70N04S3-07是MOSFET N-Ch 40V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T，包括OptiMOS--T系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPI70NO4S307AKSA1 IPI70NO 4S307XK SP000279551的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.084199盎司，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为79 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为70A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为7.1mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17ns，典型接通延迟时间为13ns，沟道模式为增强。
IPI65R660CFD是MOSFET N-Ch 650V 6A I2PAK-3 CoolMOS CFD2，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供单位重量功能，如0.084199盎司，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作CoolMOS商标。此外，该技术为Si，该器件采用CoolMOS CFD2系列，该器件具有8 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为660 mOhms，Qg栅极电荷为22 nC，Pd功耗为63 W，部件别名为IPI65R660CFDXK IPI65R760CFDXKSA1 SP000861696，封装为管，封装外壳为I2PAK-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，Id连续漏电流为6A，下降时间为10ns，配置为单。
IPI70N04S4-06是MOSFET N-Ch 40V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T2，包括70 A Id连续漏极电流，它们设计为以1通道数量的通道运行，数据表说明中显示了用于to-262-3的封装情况，该to-262-3提供了管等封装功能，零件别名设计用于IPI70NO4S406AKSA1 IPI70NO 4S406XK SP000711484，该器件还可以用作OptiMOS-T2系列。此外，该技术为Si，该器件以OptiMOS商品名提供，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.073511盎司，Vds漏极-源极击穿电压为40 V。
