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IRFS7430-7PPBF
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IRFS7430-7PPBF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 240A（Tc） 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (7-Lead) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥17.93342
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥17.93
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规格参数

  • 包装数量 -
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.9V @ 250A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 460 nC @ 10 V
  • 最大功耗 375W (Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 240A（Tc）
  • 包装/外壳 到263-7，DPak（6条引线+标签）
  • 供应商设备包装 D2PAK (7-Lead)
  • 导通电阻 Rds(ON) 0.75毫欧姆@100A，10V
  • 部件状态 Digi-Key停产
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 13975 pF@25 V

IRFS7430-7PPBF 产品详情

N沟道功率MOSFET 40V，英飞凌

英飞凌的一系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装的N沟道器件和引线封装以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内，电阻基准降低了传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。

特色

  • 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 根据JEDEC标准进行产品鉴定
  • 针对10 V栅极驱动电压（称为正常电平）进行了优化
  • 硅优化用于低于100 KHz的应用切换
  • 与上一代硅相比，更柔软的体二极管
  • 行业标准表面安装电源组件
  • 高载流能力封装（高达195 A，取决于管芯尺寸）
  • 能够进行波峰焊接

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器件图
型号
制造商
描述
价格
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IRF3710PBFIRF3710PBF英飞凌 (Infineon)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥14.19608
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IRFZ34NPBFIRFZ34NPBF英飞凌 (Infineon)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥7.89476
IRFS7430-7PPBF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRFS7430-7PPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRFS7430-7PPBF价格参考￥17.933420，你可以下载 IRFS7430-7PPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRFS7430-7PPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！

英飞凌 (Infineon)

英飞凌 (Infineon)

1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

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