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IPD053N06NATMA1是MOSFET N-Ch 60V 45A DPAK-2，包括IPD053NO6系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPD053NO 6N IPD053N 6NXT SP000962138，提供单位重量功能，如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为83 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为45A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第h栅极-源阈值电压为2.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型导通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为27nC，并且正向跨导Min为75S。
IPD053N08N3 G是MOSFET N-Ch 80V 90A DPAK-2 OptiMOS 3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在80 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如18 ns，典型的关闭延迟时间设计为38 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有OptiMOS 3系列，上升时间为66 ns，漏极-源极电阻Rds为5.3 mOhms，Pd功耗为150 W，部件别名为IPD053N08N3GBTMA1 IPD053NO8N3GXT SP000395183，包装为卷筒，包装箱为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为90 A，下降时间为10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPD053N08N3GATMA1带有电路图，包括TO-252-3包装箱，它们设计用于卷筒包装，数据表注释中显示了用于G IPD053NO8N3 SP001127818的零件别名，该产品提供Si等技术特性。
IPD053N08N3G，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPD053N08N3G采用D-PAK封装，是FET的一部分-单个。
