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IPP45P03P4L-11是MOSFET P-Ch-30V-45A TO220-3 OptiMOS-P2，包括OptiMOS-P2系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP45P4L11AKSA1 IPP45PP4L11XK SP000396382，其提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有单通道配置，晶体管类型为1 P通道，Pd功耗为58 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为3 ns，Vgs栅极-源极电压为+5 V-16 V，Id连续漏极电流为-45 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Vgs第th栅极-源极端电压为-1.5 V，Rds漏极电阻为9 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为45 ns，典型接通延迟时间为7 ns，Qg栅极电荷为42nC，信道模式为增强。
IPP50CN10N G是INFINEON制造的MOSFET N-CH 100V 20A TO-220。IPP50CN10N G采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 100V 20A TO-220。
IPP50CN10NG是INFINEON制造的MOSFET N-CH 100V 20A TO-220。IPP50CN10NG采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 100V 20A TO-220。
