9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDB3652-F085，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDB3652-F085参考价格$4.282。onsemi FDB3652-F085封装/规格：MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO263AB。您可以下载FDB3652-F085英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDB3632是MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK，包括PowerTrenchR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于FDB3632_NL的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.046296盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为D2PAK，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为310W，晶体管类型为1个N通道，漏极-源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为6000pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为12A（Ta），80A（Tc），最大Id Vgs的Rds为9 mOhm@80A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为110nC@10V，Pd功耗为310 W，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为46 ns，上升时间为39 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为80 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds漏极源极电阻为7.5 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为96ns，典型接通延迟时间为30ns，信道模式为增强。
FDB3632_F085，带有用户指南，包括2 V至4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供单位重量功能，如0.046296 oz，典型开启延迟时间设计为30 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为39 ns，漏极-源极电阻Rds为7.5 mOhms，Qg栅极电荷为84 nC，Pd功耗为310 W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为80 A，下降时间为46 ns，配置为单一。
FDB3652是MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了45纳秒的下降时间，提供了连续漏电流特性，如61 a，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一卷封装，部件别名为FDB3652_NL，Pd功耗为150 W，Rds漏极源极电阻为14 mOhm，上升时间为85 ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为26ns，典型接通延迟时间为12ns，单位重量为0.046296oz，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极电压为20V。
