9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDC3616N,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。FDC3616N参考价格为26.868美元。onsemi FDC3616N封装/规格:MOSFET N-CH 100V 3.7A SUPERSOT6。您可以下载FDC3616N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDC3601N是MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6,包括PowerTrenchR系列,它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于FDC3601N_NL的部件别名,该产品提供单位重量功能,如0.001270盎司,安装样式设计为适用于SMD/SMT,以及SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒,该器件也可作为硅技术使用,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该器件为表面安装型,该器件具有2个通道数,供应商设备包为SuperSOT-6,且配置为双,FET类型为2 N通道(双),最大功率为700mW,晶体管类型为2 N-通道,漏极至源极电压Vdss为100V,输入电容Ciss Vds为153pF@50V,FET特性为逻辑电平门,电流连续漏极Id 25°C为1A,最大Id Vgs上的Rds为500 mOhm@1A,10V,Vgs th最大Id为4V@250μA,栅极电荷Qg Vgs为5nC@10V,Pd功耗为960mW,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为4 ns,上升时间为4纳秒,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为1A,Vds漏极-源极击穿电压为100 V,Rds漏极-源极电阻为500mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为11ns,典型接通延迟时间为8ns,正向跨导最小值为3.6S,沟道模式为增强。
FDC3612是MOSFET N-CH 100V 2.6A SSOT-6,包括20 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作,单位重量显示在数据表注释中,用于0.001270盎司,提供典型的开启延迟时间功能,如6 ns,典型的关闭延迟时间设计为23 ns,以及1 N沟道晶体管类型,该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外,该技术为Si,该器件采用PowerTrench系列,该器件的上升时间为3.5ns,漏极源极电阻Rds为125mOhms,Pd功耗为1.6W,零件别名为FDC3612_NL,封装为卷轴式,封装盒为SSOT-6,通道数为1通道,安装方式为SMD/SMT,其最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+150℃,Id连续漏极电流为2.6 A,正向跨导最小值为10 S,下降时间为3.5 ns,配置为单四漏极,通道模式为增强型。
FDC3601N-NL,带有FAIRCHILD制造的电路图。FDC3601N-NL在SOT23-6封装中提供,是IC芯片的一部分。
FDC3612-NL,带有FAIRCHILD制造的EDA/CAD模型。FDC3612-NL采用SSOT6L封装,是IC芯片的一部分。