9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5499DC-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5499DC-T1-E3参考价格为1.304美元。Vishay Siliconix SI5499DC-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 CHIPFET。您可以下载SI5499DC-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI5486DU-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI5486DU-GE3中使用的零件别名，该SI5486DU GE3提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在8-PowerPakR CHIPFET？中工作？，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的8-PowerPakR ChipFet，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为31W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为2100pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为12A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为15mOhm@7.7A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为54nC@8V，Pd功耗为3.1W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为15 ns 10 ns，上升时间为15纳秒，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为11.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds漏极源极电阻为15 m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50 ns 55 ns，并且典型的开启延迟时间是10ns 7ns，并且信道模式是增强。
SI5484DU-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET。PowerPAK®ChipFET提供SI5484DU-T1-GE3™ 单个封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET、N沟道20V 12A（Tc）3.1W（Ta）、31W（Tc）表面安装PowerPAK？ChipFet单跨MOSFET N-CH 20V 11.4A 8引脚PowerPAK ChipFet T/R。
SI5486DU-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET。SI5486DU-T1-E3提供8-PowerPak®ChipFET™ 封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET，N沟道20V 12A（Tc）3.1W（Ta），31W（Tc）表面安装8-PowerPak？ChipFet（3x1.9）。
SI5499DC-T1，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI5499DC-T1在QFN封装中提供，是FET的一部分-单个。
