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IPD25CN10N G是MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS 2，包括OptiMOS 2系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPD25CN00NGBUMA1 IPD25CN80NGXT SP000096456，其提供单位重量功能，例如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为71 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3 ns，上升时间为4 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为35A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为25mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IPD25CN10NGATMA1是MOSFET中压功率MOS，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，具有典型的开启延迟时间特性，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为13 ns，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为4 ns，器件的漏极-源极电阻为19 mOhms Rds，器件的Qg栅极电荷为23 nC，Pd功耗为71 W，部件别名为G IPD25CN10N SP001127810，包装为卷筒，封装盒为TO-252-3，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏极电流为35 A，正向跨导最小值为38 S，下降时间为3 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IPD25CN10NG，带有infineon制造的电路图。IPD25CN10NG采用TO-252封装，是FET的一部分-单个。
