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IPP70N04S3-07是MOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS-T，包括OptiMOS--T系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP70NO4S307AKSA1 IPP70NO 4S307XK SP000279559，其提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为79 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为70A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为7.1mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17ns，典型接通延迟时间为13ns，沟道模式为增强。
IPP70N04S4-06是MOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS-T2，包括40V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.211644盎司单位重量下工作。数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，该沟道提供晶体管极性特性，如N沟道，商品名设计用于OptiMOS，以及Si技术，该设备也可以用作OptiMOS-T2系列。此外，Rds漏极源极电阻为6.2 mOhms，该器件采用IPP70N04S406AKSA1 IPP70NO4S406XK SP000711480零件别名，该器件具有一个封装管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为70 a。
IPP6R165R，电路图由Infenon制造。IPP6R165R采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
