9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPU80R1K4CEBKMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPU80R1K4CEBKMA1参考价格为0.33000美元。Infineon Technologies IPU80R1K4CEBKMA1封装/规格：MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3。您可以下载IPU80R1K4CEBKMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPU80R1K0CE带有引脚细节，包括XPU80R1系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPU80R1 K0CEBKMA1 SP001100624的部件别名，IPU80R2 K0CEBKMA 1 SP001100424提供安装样式功能，如通孔，封装盒设计用于PG-TO251以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为1个N沟道，该器件为1个N-沟道晶体管类型，该器件具有83 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为5.7 a，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为950mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为72ns，典型接通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为31nC，沟道模式为增强。
IPU80R1K0CEBKMA1带有用户指南，其中包括3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于800 V，提供0.012102 oz等单位重量功能，典型开启延迟时间设计为25 ns，以及72 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以CoolMOS商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为XPU80R1，上升时间为15 ns，漏极-源极电阻Rds为950 mOhms，Qg栅极电荷为31 nC，Pd功耗为83 W，部件别名为IPU80R1K0CE SP001100624，封装为Tube，封装外壳为TO-251-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为5.7 A，下降时间为8 ns，配置为单一。
带电路图的IPU80R1K4CE，包括1个通道数量的通道，它们设计用于管封装，数据表注释中显示了IPU80R1 K4CEBKMA1 SP001100620中使用的零件别名，该产品提供XPU80R1等系列功能，技术设计用于Si，以及N通道晶体管极性，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。
