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FDD18N20LZ是MOSFET N-CH 200V DPAK-3，包括UniFET？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的D-Pak，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为89W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为200V，输入电容Cis-Vds为1575pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为16A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为125 mOhm@8A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为40nC@10V，Pd功耗为89 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Id连续漏极电流为16 A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，漏极-漏极电阻为125mOhms，晶体管极性为N沟道。
FDD20AN06_F085，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FDD20AN06_F085采用TO-2523L（DPAK）封装，是IC芯片的一部分。
FDD20AN06A0是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 60V 45A D-PAK。FDD20AN06A0可采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 45A D-PAK、Trans MOSFET N-CH60V 45A-Automotive 3引脚（2+接线片）DPak T/R。
