9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPU80R2K8CEBKMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPU80R2K8CEBKMA1参考价格为0.23000美元。Infineon Technologies IPU80R2K8CEBKMA1封装/规格：MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3。您可以下载IPU80R2K8CEBKMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPU80R2K8CE是MOSFET N-Ch 800V 1.9A IPAK-3，包括XPU80R2系列，它们设计用于管式封装，零件别名显示在IPU80R2 K8CEBKMA1 SP001100622中使用的数据表注释中，该产品提供安装类型功能，如通孔、封装盒设计用于PG-TO251以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为1个N沟道，该器件为1个N-沟道晶体管类型，该器件具有42 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为18 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.9 a，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.8欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为72ns，典型接通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为12nC，沟道模式为增强。
IPU80R1K4CEBKMA1，带有用户指南，包括3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于800 V，提供0.012102 oz等单位重量功能，典型开启延迟时间设计为25 ns，以及72 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以CoolMOS商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为XPU80R1，上升时间为15 ns，漏极-源极电阻Rds为1.4欧姆，Qg栅极电荷为23 nC，Pd功耗为63 W，部件别名为IPU80R1K4CE SP001100620，封装为Tube，封装外壳为TO-251-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为3.9 A，下降时间为12 ns，配置为单一。
带电路图的IPU80R1K4CE，包括1个通道数量的通道，它们设计用于管封装，数据表注释中显示了IPU80R1 K4CEBKMA1 SP001100620中使用的零件别名，该产品提供XPU80R1等系列功能，技术设计用于Si，以及N通道晶体管极性，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。
