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IPP80N06S2L-H5是MOSFET N-Ch 55V 80A TO220-3 OptiMOS，包括OptiMOS系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP80NO6S2LH5AKSA1 IPP80NO 6S2LH5AK SA2 SP001063648，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为300 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为23 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds导通漏极-漏极电阻为5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为19ns，沟道模式为增强。
IPP80N06S4-05是MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3，包括60V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道。商品名设计用于OptiMOS，以及Si技术，该设备也可以用作OptiMOS-T2系列。此外，漏极源极电阻Rds为5.4 mOhms，该器件采用IPP80N06S405AKSA1 IPP80NO6S405AKSA 2 IPP80NO 6S405XK SP001028712零件别名，该器件有一个包装管，包装箱为TO-220-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为80A。
IPP80N06S2L11AKSA2，带有电路图，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作。数据表注释中显示了用于管的封装，该管提供部件别名功能，如IPP80NO6S2L-11 SP001061296。技术设计为在Si中工作，以及N通道晶体管极性，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。
IPP80N06S2LH5AKSA2，带EDA/CAD型号，包括管封装，设计用于to-220-3封装盒，技术如数据表注释所示，用于Si，提供晶体管极性特性，如N沟道，零件别名设计用于IPP80NO6S2L-H5 SP001063648，以及1 N沟道晶体管类型，该设备也可以用作1信道数信道。
