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IPT043N15N5ATMA1

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 技术 -
  • 场效应管类型 -
  • 漏源电压标 (Vdss) -
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 最大功耗 -
  • 工作温度 -
  • 安装类别 -
  • 供应商设备包装 -
  • 包装/外壳 -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 -

IPT043N15N5ATMA1 产品详情

英飞凌OptiMOS™3个功率MOSFET,100V及以上

特色

  • 行业最低R DS(开启)
  • 最高电流能力>480A
  • 非常低的封装寄生和电感
  • 需要更少的并联和冷却
  • 最高的系统可靠性
  • 降低系统成本
  • 实现非常紧凑的设计

应用

  • 叉车
  • 轻型电动汽车(LEV),例如电动滑板车、电动自行车或µ-汽车
  • 负载点(POL)
  • 电信
  • efuse公司
IPT043N15N5ATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPT043N15N5ATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPT043N15N5ATMA1价格参考¥11.603126,你可以下载 IPT043N15N5ATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPT043N15N5ATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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