9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI8439DB-T1-E1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI8439DB-T1-E1参考价格$6.578。Vishay Siliconix SI8439DB-T1-E1封装/规格：MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT。您可以下载SI8439DB-T1-E1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI8435BB-D-ISR是DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC，包括汽车AEC-Q100系列，它们设计用于数字隔离器产品，类型如数据表注释所示，用于通用用途，提供包装功能，如磁带和卷轴（TR）交替包装，单位重量设计为0.019313盎司，以及16-SOIC（0.295“，7.50mm宽）封装盒，该器件也可以用作电容耦合技术，其工作温度范围为-40°C~125°C，该器件提供3个通道，该器件具有2.7 V~5.5 V的电压供应，供应商器件封装为16-SOIC，数据速率为150Mbps，通道类型为单向，电压隔离为2500Vrms，上升-下降时间Typ为3.8ns、2.8ns，隔离功率为No，输入侧1侧2为2000/3/1 0:00:00，共模瞬态抗扰度Min为25kV/μs（Typ），传播延迟tpLH tpHL Max为9.5ns、9.5ns，脉宽失真Max为2.5ns，隔离类型为电容耦合，电源电压Max为5.5V，电源电压Min为2.7V。
SI8435-B-IS是DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC，包括2.375 V~5.5 V电压源，设计用于2500Vrms电压隔离，类型如数据表注释所示，用于一般用途，提供电容耦合等技术特性，供应商设备包设计用于16-SOIC，以及2ns、2ns上升-下降时间类型，该器件还可以用作7.5ns脉冲宽度失真最大值。此外，传播延迟tpLH tpHL最大值为35ns，35ns，该器件具有16-SOIC（0.295“，7.50mm宽）封装外壳，其工作温度范围为-40°C~125°C，信道数为3，隔离功率为No，输入侧1侧2为2000/3/10:00:00，数据速率为10Mbps，共模瞬态抗扰度最小值为25kV/μs，信道类型为单向。
SI8435-B-ISR，电路图由SILICON制造。SI8435-B-ISR在SOP16封装中提供，是IC芯片的一部分。
SI8435DB-T1-E1是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP。SI8435DB-T1-E1提供4-XFBGA、CSPBGA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP、P沟道20V 10A（Tc）2.78W（Ta）、6.25W（Tc）表面贴装4微脚、Trans-MOSFET P-CH Si 20V 6.72A 4引脚微脚T/R。
