9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPI084N06L3GXKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPI084N06L3GXKSA1参考价格为0.53000美元。Infineon Technologies IPI084N06L3GXKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3。您可以下载IPI084N06L3GXKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPI076N12N3 G是MOSFET N-Ch 120V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPI076 N12N3GAKSA1 IPI079 N12N3GXK SP000652738，其提供单位重量功能，如0.084199盎司，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为188 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为50 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为120V，Rds漏极源极导通电阻为7.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为39nS，Qg栅极电荷为76nC。
带用户指南的IPI084N06L3 G，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供了XPI084N66等系列功能，零件别名设计用于IPI084 N06L3GXKSA1 SP001065242，以及管封装，该设备也可以用作1信道数信道。
IPI076N12N3G是INFINEON制造的MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3。IPI076N12N3G在TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3。
