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FDB8443是MOSFET N-CH 40V 120A TO-263AB，包括卷盘封装，其设计为单位重量0.046296盎司，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供TO-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1信道数的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供188 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13.5 ns，上升时间为17.9 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为25 A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds漏极漏极-漏极电阻为2.3mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为18.4ns，沟道模式为增强。
FDB8444是MOSFET N-CH 40V 70A TO-263AB，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.046296盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为48 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为78 ns，器件的漏极-源极电阻为3.9 mOhms，Pd功耗为167 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为70 A，下降时间为15 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FDB8443_F085带电路图，包括120 A Id连续漏极电流，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，提供SMD/SMT等安装类型功能，通道数设计为在1个通道中工作，以及to-252-3封装盒，该设备也可用作卷筒封装。此外，Pd功耗为188 W，器件提供2.3 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有Si of Technology，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为0.046296 oz，Vds漏极源极击穿电压为40 V。
