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IPI120P04P4L-03是MOSFET P-Ch-40V-120A I2PAK-3 OptiMOS-P2,包括OptiMOS-P2系列,它们设计用于管式封装,零件别名如数据表注释所示,用于IPI120PO4P4L03AKSA1 IPI120Po4P4L03XK SP000842296,其提供单位重量功能,如0.073511盎司,商品名设计用于OptiMOS,以及to-262-3包装箱,该器件也可以用作Si技术。此外,通道数为1通道,该器件为1 P通道晶体管类型,该器件具有-120 a的Id连续漏极电流,Vds漏极-源极击穿电压为-40 V,Rds漏极源极电阻为3.1 mΩ,晶体管极性为P通道。
IPI120P04P404AKSA1是MOSFET P沟道,包括1个P沟道晶体管类型,它们被设计为与P沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术,该Si提供了IPI120PO4等系列功能,零件别名被设计为在IPI120Po4P4-04 IPI120P14P404XK SP000842274以及管封装中工作,该装置也可用作TO-262-3包装箱。此外,信道数为1信道。
带电路图的IPI120N10S403AKSA1,包括1个通道数量的通道,它们设计为与to-262-3封装盒一起工作。数据表注释中显示了用于管的封装,该管提供部件别名功能,如IPI120N20S4-03 SP001102584。技术设计为在Si中工作,以及N通道晶体管极性,该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。
IPI120N10S405AKSA1带有EDA/CAD型号,包括管封装,它们设计为与to-262-3封装盒一起工作。数据表注释中显示了用于Si的技术,该Si提供晶体管极性特性,如N沟道,零件别名设计为在IPI120N20S4-05 SP001102622以及1 N沟道晶体管类型中工作,该设备也可以用作1信道数信道。