9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPI70P04P409AKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPI70P04P409AKSA1参考价格为1.602美元。Infineon Technologies IPI70P04P409AKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 40V 72A TO262-3。您可以下载IPI70P04P409AKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPI70N10S3-12是MOSFET N-Ch 100V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T，包括OptiMOS--T系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPI70N1 0S312AKSA1 IPI70N 0S312XK SP000407124，其提供单位重量功能，如0.073511盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-262-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为125 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为8纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为70A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为11.3mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为17ns，沟道模式为增强。
IPI70N10SL-16是MOSFET N-Ch 100V 70A I2PAK-3 SIPMOS，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.084199盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如70 ns，典型的关闭延迟时间设计为250 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为SIPMOS，该器件采用Si技术，该器件具有串联SIPMOS，上升时间为250 ns，漏极-源极电阻Rds为16 mOhms，Pd功耗为250 W，部件别名为IPI70N10SL16AKSA1 IPI70N1 0SL16XK SP000225705，封装为管，封装外壳为I2PAK-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为70 A，下降时间为95 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPI70P04P4-09是MOSFET P-Ch-40V-70A I2PAK-3 OptiMOS-P2，包括-70 A Id连续漏极电流，它们设计为以1通道数量的通道运行，数据表说明中显示了用于to-262-3的封装情况，该to-262-3提供了管等封装功能，零件别名设计用于IPI70Po4P409AKSA1 IPI70PO4P409XK SP000735974，该器件还可以用作OptiMOS-P2系列。此外，该技术为硅，该器件以OptiMOS商品名提供，该器件具有晶体管极性的P沟道，晶体管类型为1个P沟道、单位重量为0.073511盎司，Vds漏极-源极击穿电压为-40 V。
IPI70N04S4-06是MOSFET N-Ch 40V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T2，包括管封装，它们设计为与to-262-3封装盒一起工作，数据表中显示了用于Si的技术，提供OptiMOS-T2等系列功能，商品名设计用于OptiMOS，以及N沟道晶体管极性，该设备也可以用作IPI70N04S406AKSA1 IPI70NO4S406XK SP000711484部件别名。此外，Id连续漏极电流为70 A，器件提供6.2 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有40 V Vds漏极源极击穿电压，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.073511盎司。
