9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDS4070N7，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FDS4070N7参考价格为0.812美元。onsemi FDS4070N7封装/规格：MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO。您可以下载FDS4070N7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到所需的产品，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如FDS4070N7价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
FDS3992是MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于与Digi-ReelR替代包装包装一起工作。数据表注释中显示了用于FDS3992_NL的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.006596盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为8-SOIC，配置为双双漏极，FET类型为2 N通道（双），最大功率为2.5W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为750pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.5A，最大Id Vgs的Rds为62mOhm@4.5A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为15nC@10V，Pd功耗为2.5W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为26 ns，上升时间为23 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为4.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds漏极源极电阻为62 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为28ns，典型接通延迟时间为8ns，信道模式为增强。
FDS3992_NL，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FDS3992_NL在SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
FDS4070N3是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 40V 15.3A 8-SOIC。FDS4070N3可提供8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）暴露焊盘封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 40V 15.3A 8-SOIC、N沟道40V 15.3B（Ta）3W（Ta）表面安装8-SO。
