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IPI80N08S2-07是MOSFET N-Ch 75V 80A I2PAK-3 OptiMOS，包括OptiMOS系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPI80NO8S207AKSA1 IPI80NO 8S207XK SP000219043，其提供单位重量功能，如0.084199盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为300 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为50 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Rds导通漏极-漏极电阻为7.1mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为61ns，典型接通延迟时间为26ns，沟道模式为增强。
IPI80P03P4-05是MOSFET P-Ch-30V-80A I2PAK-3，包括-30 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.073511盎司单位重量下工作，数据表中显示了用于1个P通道的晶体管类型，该通道提供晶体管极性特性，如P通道，技术设计为在Si中工作，该器件也可以用作4.7毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，零件别名为IPI80P03P405AKSA1 IPI80P02P405XK SP000396316，该设备采用管式封装，该设备具有TO-262-3封装盒，通道数为1通道，Id连续漏电流为-80 a。
带电路图的IPI80N08S406AKSA1，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-262-3封装盒一起工作。数据表说明中显示了用于管的封装，该管提供了部件别名功能，如IPI80NO8S4-06 SP000984300。技术设计为在Si中工作，以及N通道晶体管极性，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。
IPI80N07S405AKSA1具有EDA/CAD型号，包括管封装，它们设计为使用Si技术操作。晶体管极性显示在数据表注释中，用于N通道，提供部件别名功能，如IPI80NOS4005 SP000987482，晶体管类型设计为在1个N通道以及1个通道数量的通道中工作。
