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FDD6N50FTM是MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK，包括卷轴封装，它们设计用于0.009184盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1信道数的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供89 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20.5 ns，上升时间为28.3 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为5.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds漏极源极导通电阻为1.15欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为33.4ns，典型接通延迟时间为17ns，沟道模式为增强。
FDD6N50TM是MOSFET N-CH 500V 6A DPAK，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.009184盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如6 ns，典型的关闭延迟时间设计为25 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件的上升时间为55 ns，该器件具有760 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为89 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为6 A，下降时间为35 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FDD6N50F，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDD6N50F采用TO-2523L（DPAK）封装，是FET的一部分-单个。
