9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDFME2P823ZT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDFME2P823ZT参考价格为1.34美元。onsemi FDFME2P823ZT封装/规格：MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET。您可以下载FDFME2P823ZT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDFMA3N109是MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002116盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于6-WDFN暴露焊盘，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1个通道数量的通道，该器件具有6个MicroFET（2x2）的供应商器件封装，配置为单肖特基二极管，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为650mW，晶体管类型为1个N通道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为220pF@15V，FET特性为二极管（隔离），电流连续漏极Id 25°C为2.9A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为123 mOhm@2.9A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为3nC@4.5V，Pd功耗为1.5W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为8纳秒，上升时间为8 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为2.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds导通-漏极电阻为123毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12 ns，典型的开启延迟时间为6ns，信道模式为增强。
FDFMA3P029Z是MOSFET PChan Sgl-30V-3.3A PowerTrench MOSFET，包括-1.9 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在25 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-30 V，提供单位重量功能，如0.002116盎司，典型开启延迟时间设计为5.2 ns，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，器件采用Si技术，器件具有3 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为87 mOhms，Qg栅极电荷为7.2 nC，Pd功耗为1.4 W，封装为卷轴式，封装盒为microFET-6，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为-3.3 A，正向跨导最小值为6 S，下降时间为11 ns，配置为单肖特基二极管。
FDFMA3W109，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDFMA3W109采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
