9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFSL4510PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFSL4510PBF参考价格为0.83000美元。Infineon Technologies IRFSL4510PBF封装/规格：MOSFET N-CH 100V 61A TO262。您可以下载IRFSL4510PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFSL4310ZPBF是MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC，包括管封装，它们的设计工作单位重量为0.084199盎司，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供封装外壳功能，如I2PAK-3，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为250 W，器件提供20 V Vgs栅极-源极电压，器件具有127 a的Id连续漏极电流，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds漏极源极电阻为4.8 mΩ，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为120 nC。
IRFSL4321PBF是MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于150 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.084199盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及Si技术，该器件也可以用作漏极-源极电阻上的12mOhms Rds。此外，Qg栅极电荷为71 nC，器件提供330 W Pd功耗，器件具有封装管，封装盒为I2PAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏电流为83 a。
IRFSL4410ZPBF是MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC，包括97 A Id连续漏极电流，它们设计为以通孔安装方式运行，通道数量如数据表注释所示，用于1通道，提供I2PAK-3等封装外壳功能，封装设计为在管中工作，以及230 W Pd功耗，该器件也可以用作83nC Qg栅极电荷。此外，Rds漏极-源极电阻为9 mOhms，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.084199 oz，Vds漏极源极击穿电压为100 V，Vgs栅极-源极电压为20 V。
