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FDB3632是MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK，包括PowerTrenchR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于FDB3632_NL的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.046296盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为D2PAK，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为310W，晶体管类型为1个N通道，漏极-源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为6000pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为12A（Ta），80A（Tc），最大Id Vgs的Rds为9 mOhm@80A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为110nC@10V，Pd功耗为310 W，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为46 ns，上升时间为39 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为80 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds漏极源极电阻为7.5 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为96ns，典型接通延迟时间为30ns，信道模式为增强。
FDB3502是MOSFET 75V N沟道功率沟道，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在75 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.046296盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如9 ns，典型的关闭延迟时间设计为13 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以3 ns上升时间提供，器件具有47 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为3.1 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为6 A，下降时间为3 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FDB34N20L，电路图由FSC制造。FDB34N20L采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
