9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7476DP-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7476DP-T1-E3参考价格为2.042美元。Vishay Siliconix SI7476DP-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8。您可以下载SI7476DP-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7469DP-T1-E3是MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI7469DP-E3的零件别名，SI7469DPE-E3提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及PowerPAKR SO-8封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为83W，晶体管类型为1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为80V，输入电容Cis-Vds为4700pF@40V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为28A（Tc），最大Id Vgs的Rds为25mOhm@10.2A，10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为160nC@10V，Pd功耗为83W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为110纳秒，上升时间为220纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为28 A，Vds漏极-源极击穿电压为-80 V，Rds漏极源极电阻为25毫欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为105ns，典型接通延迟时间为45ns，正向跨导最小值为52S，信道模式为增强。
SI7469DP-T1-GE3是MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-80 V，提供单位重量功能，如0.017870盎司，典型的开启延迟时间设计为45 ns 15 ns，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR SO-8，系列为TrenchFETR，上升时间为220 ns 25 ns，Rds On Max Id Vgs为25 mOhm@10.2A，10V，Rds On漏极-源极电阻为25 m欧姆，功率最大值为83W，Pd功耗为83W，零件别名为SI7469DP-GE3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为PowerPAKR SO-8，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围是-55°C，其最大工作温度范围为+150℃，输入电容Cis-Vds为4700pF@40V，Id连续漏极电流为28A，栅极电荷Qg-Vgs为160nC@10V，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为110 ns 100 ns，漏极到源极电压Vdss为80V，25°C的电流连续漏极Id为28A（Tc），配置为单通道，通道模式为增强型。
SI7470DP-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI7470DP-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
SI7476DP，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI7476DP采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
