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PMPB55XNEAX
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PMPB55XNEAX

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Ta) 最大功耗: 550mW (Ta) 供应商设备包装: DFN2020MD-6 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安世半导体 (Nexperia)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥14.05075
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥14.05
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、4.5伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5 nC @ 4.5 V
  • 包装/外壳 6-UDFN Exposed Pad
  • 供应商设备包装 DFN2020MD-6
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3.8A (Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.25伏@250A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 255 pF@15 V
  • 最大功耗 550mW (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 72毫欧姆 @ 3.8A, 4.5V

PMPB55XNEAX 产品详情

PMPB55XNEAX所属分类:分立场效应晶体管 (FET),PMPB55XNEAX 由 安世半导体 (Nexperia) 设计生产,可通过久芯网进行购买。PMPB55XNEAX价格参考¥14.050748,你可以下载 PMPB55XNEAX中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询PMPB55XNEAX规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安世半导体 (Nexperia)

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Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。...

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