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FDD8870是MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK，包括PowerTrenchR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，零件别名如数据表注释所示，用于FDD8870_NL，提供单位重量功能，如0.009184盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为D-Pak，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为160W，晶体管类型为1个N通道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为5160pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为21A（Ta），160A（Tc），最大Id Vgs的Rds为3.9mOhm@35A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为118nC@10V，Pd功耗为160W，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为42 ns，上升时间为83 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为160 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为3.9 m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为83ns，典型接通延迟时间为9ns，信道模式为增强。
FDD8796是MOSFET N-CH 25V 35A DPAK，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于25 V，提供单位重量功能，如0.009184 oz，典型开启延迟时间设计为10 ns，以及99 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的D-Pak，系列为PowerTrenchR，上升时间为24 ns，Rds On Max Id Vgs为5.7 mOhm@35A，10V，Rds On漏极-源极电阻为4.5 mOhm，功率最大值为88W，Pd功耗为88W，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为TO-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63，工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围是-55°C，它的最大工作温度范围为+175 C，输入电容Cis-Vds为2610pF@13V，Id连续漏极电流为35 A，栅极电荷Qg-Vgs为52nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为57 ns，漏极到源极电压Vdss为25V，电流连续漏极Id 25°C为35A（Tc），并且配置是单一的，并且信道模式是增强的。
FDD8782是MOSFET N-CH 25V 35A DPAK，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于14 ns，提供Id连续漏极电流功能，如35 a，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一个封装卷，Pd功耗为50W，Rds漏极-源极电阻为8.5mOhms，上升时间为9ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为7ns，单位重量为0.009184oz，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅极-源极电压为20V。
