9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFH7110TR2PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFH7110TR2PBF参考价格为13.038美元。Infineon Technologies IRFH7110TR2PBF封装/规格：MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6。您可以下载IRFH7110TR2PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFH7084TRPBF带有引脚细节，包括卷筒封装，它们设计为与SMD/SMT安装样式一起工作，数据表注释中显示了用于PQFN-8的封装盒，该PQFN-8提供Si等技术特性，通道数设计为在1通道中工作，以及单配置，该器件也可以用作1 N通道晶体管类型，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，器件的下降时间为34 ns，上升时间为31 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为265 a，Vds漏源击穿电压为40 V，Vgs第h栅源阈值电压为3.9 V，Rds导通漏极-源极电阻为950μ欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为64ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为127nC，正向跨导最小值为120S，沟道模式为增强。
带有用户指南的IRFH7085TRPBF，包括3.7V Vgs第二栅极-源极阈值电压，它们设计为在20V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于60V，提供典型的开启延迟时间功能，如13ns，典型的关闭延迟时间设计为63ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为25 ns，器件的漏极-源极电阻为3.6 mOhm，Qg栅极电荷为110 nC，封装为卷轴，封装盒为PQFN-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为147A，正向跨导最小值为140S，下降时间为23ns，配置为单一。
IRFH7107TR2PBF是MOSFET 75V 75A 8.5mOhm 48nC Qg，包括单一配置，它们设计为在6.5 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了68 S中使用的最小正向跨导，提供Id连续漏极电流功能，如75 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件在PQFN-6封装盒中提供，该器件具有一卷封装，Pd功耗为3.6W，Qg栅极电荷为48nC，Rds漏极源极电阻为8.5mOhm，上升时间为12ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IRFH7107TRPBF是MOSFET N-CH 75V 14A 8PFN，包括Si技术，它们设计用于卷盘封装，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N通道，提供晶体管类型功能，如1 N通道，通道数设计用于1通道。
