9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRF3315STRL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRF3315STRL价格参考1.48美元。Infineon Technologies AUIRF3315STRL封装/规格：MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK。您可以下载AUIRF3315STRL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AUIRF3205ZSTRR是MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms，包括卷轴封装，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供170 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为67 ns，上升时间为95 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为44 A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds漏极漏极-漏极电阻为6.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为18ns，沟道模式为增强。
AUIRF3305是MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8欧姆，包括20 V Vgs栅极-源极电压，设计用于55 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如16 ns，典型的关闭延迟时间设计为43 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为88 ns，器件的漏极-源极电阻为8 mOhms，Qg栅极电荷为100 nC，Pd功耗为330 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，并且Id连续漏极电流为140A，并且下降时间为34ns，并且配置为单，并且信道模式为增强。
AUIRF3315S是由IR制造的“MOSFET 150V”。AUIRF3315 S采用D2PAK封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，支持“MOSFET 150 V、N沟道150V 21A（Tc）3.8W（Ta）、94W（Tc。
