9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRF7207QTR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRF7207QTR价格参考3.654美元。Infineon Technologies AUIRF7207QTR封装/规格：MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO。您可以下载AUIRF7207QTR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AUIRF7103QTR是MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC，包括HEXFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），功率最大值为2.4W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为50V，输入电容Cis-Vds为255pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3A，Rds On Max Id Vgs为130 mOhm@3A，10V，Vgs th Max Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为15nC@10V，Pd功耗为2.4W，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为2.3 ns，上升时间为1.7 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3 A，Vds漏极-源极击穿电压为50 V，Vgs第栅极-源极端阈值电压为3 V，Rds漏极源极电阻为200 mOhms，并且晶体管极性是N沟道，并且典型关断延迟时间是15ns，并且典型接通延迟时间是5.1ns，并且Qg栅极电荷是10nC，并且正向跨导Min是3.4S，并且沟道模式是增强。
AUIRF7103Q是MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-SO供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于HEXFETR，提供最大Id Vgs特性，如130 mOhm@3A，10V，功率最大设计为2.4W，以及管替代封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有255pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为15nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为50V，电流连续漏极Id 25°C为3A。
AUIRF6218STRR带有由IR制造的电路图，是晶体管-FET、MOSFET-单个的一部分，并支持“MOSFET汽车MOSFET 27A、MOSFET汽车用MOSFET 27B、71 nC、D2Pak”。
