9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRF7416QTR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRF7416QTR价格参考0.95000美元。Infineon Technologies AUIRF7416QTR封装/规格：MOSFET P-CH 30V 10A 8SO。您可以下载AUIRF7416QTR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AUIRF7379QTR是MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC，包括HEXFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.019048盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的8-SO，配置为单通道，FET类型为N和P通道，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 N通道1 P通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为520pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为5.8A、4.3A，最大Id Vgs为45mOhm@5.8A、10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为25nC@10V，Pd功耗为2.5W，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为4.8A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极-源极电阻为75m欧姆，晶体管极性为N沟道P沟道，Qg栅极电荷为16.7nC。
AUIRF7379Q是MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-SO供应商器件封装一起工作，系列如数据表注释所示，用于HEXFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如45 mOhm@5.8A，10V，功率最大设计为2.5W，以及管替代封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件的输入电容Cis-Vds为520pF@25V，栅极电荷Qg Vgs为25nC@10V，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，漏极至源极电压Vdss为30V，25°C的电流连续漏极Id为5.8A，4.3A。
AUIRF7379QTRPBF，电路图由30000IR制造。AUIRF7379QTRPBF采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
