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AUIRFL024NTR

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 672

  • 库存: 20000
  • 单价: ¥3.25931
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,190.25
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规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 55 V
  • 最大功耗 1W(Ta)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 400 pF @ 25 V
  • 包装/外壳 至261-4,至261AA
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.8A(Ta)
  • 供应商设备包装 SOT-223
  • 部件状态 过时的
  • 导通电阻 Rds(ON) 75毫欧姆 @ 2.8A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18.3 nC@10 V

AUIRFL024NTR 产品详情

AUIRFL024NTR所属分类:分立场效应晶体管 (FET),AUIRFL024NTR 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。AUIRFL024NTR价格参考¥3.259305,你可以下载 AUIRFL024NTR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询AUIRFL024NTR规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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