9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVD5890NT4G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NVD5890NT4G参考价格为0.85000美元。onsemi NVD5890NT4G封装/规格：MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK。您可以下载NVD5890NT4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NVD5865NLT4G是MOSFET NFET 60V 34A 18MOHM，包括NVD5865NL系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有71 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为4.4 ns，上升时间为12.4 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为46 a，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为16m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为26ns，典型接通延迟时间为8.4ns，Qg栅极电荷为29nC，正向跨导最小值为15S。
NVD5867NLT4G是MOSFET NFET 60V 18A 43MOHM，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如12.6 ns，典型的关闭延迟时间设计为18.2 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为NVD5867NL系列，该器件的上升时间为12.6ns，漏极-源极电阻Rds为39mOhms，Qg栅极电荷为15nC，Pd功耗为43W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为22 A，下降时间为2.4 ns，配置为单一。
NVD5890NLT4G是MOSFET NFET DPAK 40V 123A 3.7M，包括123 A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装样式一起工作。数据表中显示了用于1通道的通道数，该通道提供to-252-3等封装外壳功能，封装设计为在卷筒中工作，以及3.7 mOhms Rds漏极源极电阻，该设备也可以用作NVD5890NL系列。此外，该技术是Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，单位重量为0.139332盎司，Vds漏极-源极击穿电压为40 V。
